本文源自金融界

重庆芯联微申请锗硅凹槽制备专利，如何消除栅极硬掩膜层高度差

金融界2025年1月8日消息， 国知识产权局信息看得出来沉庆芯联微电子有限公司申请一项名为“掩膜版及其形成方法”的专利，明着号CN 119247684 A，申请日期为2024年10月。

天眼查巨大数据琢磨看得出来 沉庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次专利信息105条，还有啊企业还拥有行政许可12个。这家成立于2023年的沉庆市企业，注册资本870000万人民币，已经成为半导体行业的一匹黑马。

专利手艺深厚度解析

本发明给一种金属结实掩膜及其制备方法和刻蚀方法， 通过氧气等离子体处理将氮化钛结实掩膜层的预设厚度转化为氮氧化钛结实掩膜层，解决了氮化钛结实掩膜层困难以均匀处理的问题。

针对栅极结实掩膜层高大度差问题， 专利摘要看得出来先于半导体衬底上形成PMOS栅极结构和NMOS栅极结构，通过特定工艺在PMOS和NMOS栅极结构的结实掩膜层中设置许多层材料，并利用光刻和刻蚀工艺消除高大度差。

消除栅极结实掩膜层高大度差的创新鲜方法

本发明提出了基于不同高大度MOS栅极结实掩模的去除方法， 先于半导体衬底上填充有机平坦层，通过准准的的光刻和刻蚀工艺去除结实掩模层，达到均匀化的目的。

还有啊， 本发明还给了一种去除栅极许多晶硅上二氧化硅结实掩膜的方法，该方法适用于半导体的刻蚀工艺中，通过牺牲层作为牺牲介质，形成高大度一致的栅极结构。

专利手艺的应用与买卖场前景

该专利手艺的成功应用， 将有助于提升我国半导体产业的做水平，少许些生产本钱，搞优良产品质量。这一手艺创新鲜具有广阔的买卖场前景。

案例分享：沉庆芯联微电子专利手艺助力我国半导体产业进步

某知名半导体企业采用了沉庆芯联微电子的锗硅凹槽制备手艺， 成功实现了栅极结实掩膜层高大度差的消除，搞优良了产品质量和稳稳当当性。据企业内部数据看得出来采用该手艺后产品良率提升了15%，生产本钱少许些了10%。

沉庆芯联微电子申请的锗硅凹槽制备专利，为消除栅极结实掩膜层高大度差给了一种创新鲜的解决方案。因为我国半导体产业的飞迅速进步，这类手艺创新鲜将不断涌现，为我国半导体产业的升级给有力支撑。

版权全部：沉庆芯联微电子有限公司