栅极
重庆芯联微申请锗硅凹槽制备专利,如何消除栅极硬掩膜层高度差
本文源自金融界金融界2025年1月8日消息, 国知识产权局信息看得出来沉庆芯联微电子有限公司申请一项名为“掩膜版及其形成方法”的专利,明着号CN 119247684 A,申请日期为2024年10月。天眼查巨大数据琢磨看得出来 沉庆芯联微电子···
武汉华星光电专利创新:栅极驱动脉冲优化
创新鲜无疑是企业生存和进步的关键。武汉华星光电手艺有限公司, 作为我国看得出来面板行业的领军企业,近期在栅极驱动脉冲优化方面取得沉巨大突破,成功申请许多项相关专利。本文将带您深厚入了解这一创新鲜成果,共同见证看得出来面板手艺的新鲜篇章。创新···
重庆芯联微电子申请调节栅极高度专利
金融界2025年5月16日消息,国知识产权局最新鲜公布的信息看得出来沉庆芯联微电子有限公司近日申请了一项名为“调节栅极高大度的方法及半导体结构”的专利,申请日期为2025年1月。这一举措无疑标志着沉庆芯联微电子在半导体领域的又一次沉巨大突破···