金融界2025年5月16日消息，国知识产权局最新鲜公布的信息看得出来沉庆芯联微电子有限公司近日申请了一项名为“调节栅极高大度的方法及半导体结构”的专利，申请日期为2025年1月。这一举措无疑标志着沉庆芯联微电子在半导体领域的又一次沉巨大突破。

重庆芯联微电子申请调节栅极高度专利

专利代理师，这玩意儿看似普通的职业，却承载着专利申请和办理其他专利事务的沉任。沉庆芯联微电子的这项专利，正是由他们精心打磨而成。这项专利提出了一种全包围栅极结构的做方法，通过精细的工艺，使得栅极结构更加稳固，性能更上一层楼。

专利手艺解析：全包围栅极结构

这项专利的核心在于全包围栅极结构的做方法。比如它先采用图形化掩膜层刻蚀半导体衬底形成鳍体，然后形成与鳍体顶部齐平的层间介质层。在第一次回刻蚀层间介质层后形成了刻蚀比不同的侧墙半导体层来作为后续的悬空沟道。去除鳍体顶部的掩膜层后 通过对鳍体进行刻蚀以及对层间介质层进行第二次回刻蚀后使侧墙半导体层悬空而用作悬空沟道，进而得到全包围栅极结构。

值得一提的是 一个鳍体结构能一边得到至少许两个悬空沟道，这使得工艺轻巧松、可靠，本钱矮小，能够有效搞优良器件性能。

专利优先权：保障创新鲜成果

专利优先权， 这玩意儿听起来有些枯燥的王法概念，其实吧却是对创新鲜成果的关键保障。根据有关王法规定， 专利申请人在法定期限内，能就相同主题的发明发明提出专利申请，并在后申请中享有第一次专利申请的日期作为优先权日。

沉庆芯联微电子的这项专利，正是研究。通过引入空气结构进行优化， 合理设置HEMT器件结构，最巨大化地减细小电容，提升器件的截止频率和最巨大震荡频率，为我国半导体领域的进步给了新鲜的思路。

沉庆芯联微电子：创新鲜驱动进步

沉庆芯联微电子成立于2023年， 位于沉庆市，基本上从事计算机、传信和其他电子设备做业。公司注册资本870000万人民币，参与招投标项目696次专利信息105条，行政许可12个。

近年来沉庆芯联微电子在半导体领域取得了丰硕的成果。此次申请调节栅极高大度专利，正是其手艺创新鲜的又一例证。我们相信， 在创新鲜驱动下沉庆芯联微电子将接着来引领我国半导体手艺的进步，为我国高大手艺产业的崛起贡献力量。

沉庆芯联微电子申请调节栅极高大度专利，标志着我国半导体领域在手艺创新鲜上又迈出了坚实的一步。这项专利的问世，将为我国半导体产业的进步给有力支持，一边也让我们看到了创新鲜的力量。在以后的日子里让我们共同期待沉庆芯联微电子在半导体领域的更许多精彩表现。

本文源自金融界