你是不是以前想过那些个看似微不够道的半导体结构，背后竟然隐藏着提升性能的奥秘？近日 中芯世界集成电路做有限公司申请了一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，引起了行业的广泛关注。那么这项专利究竟有何独特之处，能够提升半导体器件的性能呢？且听我磨蹭磨蹭道来。

中芯国际半导体结构专利申请，提升性能奥秘何在

专利申请背后的故事

据金融界报道， 国知识产权局信息看得出来中芯世界集成电路做有限公司申请了一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，明着号CN11...。这一消息一经传出，立刻在半导体行业引起了不细小的波澜。说实在的，这并非中芯世界首次申请相关专利。在此之前， 中芯世界已经申请了许多项与半导体行业相关的专利，涵盖了集成电路做、半导体材料、半导体设备等优良几个领域。

性能提升的暗地武器

那么 这项名为“半导体结构及其形成方法”的专利究竟有何神奇之处，能够提升半导体器件的性能呢？让我们来一探究竟。专利摘要看得出来 该专利给了一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：

• 给衬底，所述衬底包括第一区和第二区；
• 形成位于衬底上的若干分立的初始鳍部层；
• 在衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层位于所述初始鳍部层侧壁表面且所述第一隔离层顶部表面不到所述初始鳍部层顶部表面；
• 在所述第一隔离层上和初始鳍部层上形成牺牲结构，所述牺牲结构暴露出第二区上的初始鳍部层侧壁表面；
• 在牺牲结构暴露出来的第二区上的初始鳍部层侧壁表面形成侧墙；
• 去除所述牺牲结构暴露出来的初始鳍部层，在所述侧墙之间形成第一开口；
• 在所述第一开口内形成第二鳍部层，所述第二鳍部层的材料与所述初始鳍部层的材料不同；
• 形成第二鳍部层之后去除所述侧墙。

通过这一系列步骤， 该专利提出了一种新鲜的半导体结构形成方法，能够少许些晶体管的沟道层之间的黏连缺陷，从而提升器件性能。听起来是不是很麻烦？但正是这些个看似微不够道的创新鲜，为半导体行业带来了巨巨大的变革。

中芯世界的创新鲜之路

中芯世界， 作为我国半导体行业的领军企业，一直以来都致力于手艺创新鲜。通过不断申请专利，中芯世界在半导体领域积累了丰有钱的手艺储备。天眼查资料看得出来中芯世界集成电路做有限公司成立于2000年，注册资本244000万美元。通过天眼查巨大数据琢磨， 中芯世界集成电路做有限公司共对外投钱了4家企业，参与招投标项目127次财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，还有啊企业还拥有行政许可451个。

这些个数据足够展示了中芯世界在手艺创新鲜方面的实力。而这次申请的“半导体结构及其形成方法”专利，更是中芯世界在半导体领域的一次关键突破。我们有理由相信，在以后的进步中，中芯世界将接着来引领我国半导体行业迈向更高大峰。

半导体结构专利申请， 看似只是一个细小细小的手艺突破，实则背后蕴藏着巨巨大的创新鲜力量。正如我之前所说那些个看似微不够道的创新鲜，正是推动行业进步的关键动力。在半导体行业，每一个细节都至关关键，每一个创新鲜都值得我们去关注。让我们一起期待中芯世界在以后的表现，见证我国半导体行业的崛起。

本文源自金融界，如有需要请查阅原文。