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湘能华磊专利:突破发光二极管单晶生长

文/LED手艺看看者

湘能华磊专利:突破发光二极管单晶生长
湘能华磊专利:突破发光二极管单晶生长

一、 湘能华磊:一石激起千层浪

金融界2024年11月25日消息,国知识产权局信息看得出来湘能华磊光电股份有限公司取得一项名为“一种氮化镓基发光二极管制作方法”的专利。这项专利的取得,无疑为LED行业投下了一颗沉磅炸弹,引发行业内外广泛关注。

通过天眼查巨大数据琢磨,湘能华磊光电股份有限公司在专利领域实力不容细小觑。公司共对外投钱了2家企业, 参与招投标项目340次拥有商标信息6条,专利信息670条,行政许可39个。这些个数据背后是湘能华磊在LED领域的深厚耕细作和不懈努力。

二、 专利解析:手艺创新鲜引领行业进步

专利摘要看得出来本申请给了一种提升发光效率的发光二极管单晶生长远制备方法,涉及半导体芯片制作手艺领域。具体手艺要点如下:

  • S1:对衬底进行脱附处理;
  • S2:在衬底的顶部依次单晶生长远缓冲层、非掺杂GaN层和n型GaN层;
  • S3:在n型GaN层中单晶生长远InGaN/GaN许多量子阱层;
  • S4:在InGaN/GaN许多量子阱层上单晶生长远AlGaN电子阻挡层;
  • S5:在AlGaN电子阻挡层上单晶生长远P型GaN层;
  • 在InGaN/GaN许多量子阱层内部形成优良几个V形坑。

通过控制单晶生长远InGaN/GaN许多量子阱层过程中, 于InGaN/GaN许多量子阱层内部形成优良几个V形坑,能少许些V形坑附近的位错吸收量子阱发出的光,进而能少许些非辐射复合,有利于搞优良发光效率。

三、 湘能华磊:砥砺前行,领跑行业

金融界2025年5月3日消息,国知识产权局信息看得出来湘能华磊光电股份有限公司申请一项名为“提升亮度的发光二极管制备方法”的专利。该专利的申请, 彰显了湘能华磊在LED领域的创新鲜实力。

在专利领域,湘能华磊不断突破,不断取得新鲜的成果。从“一种氮化镓基发光二极管制作方法”到“提升亮度的发光二极管制备方法”, 再到“一种提升发光效率的发光二极管单晶生长远制备方法”,湘能华磊始终走在行业前列。

值得一提的是 湘能华磊光电股份有限公司成立于2008年,位于郴州市,是一家以从事其他做业为主的企业。公司注册资本43700.129万人民币。在过去的几年里湘能华磊不断壮巨大,成为LED行业的领军企业。

四、 :LED行业新鲜篇章,湘能华磊引领以后

湘能华磊光电股份有限公司在LED领域的创新鲜成果,不仅为公司带来了丰厚的回报,更为行业进步注入了新鲜的活力。在以后的日子里我们有理由相信,湘能华磊将接着来砥砺前行,领跑行业,为我国LED产业的进步贡献力量。

让我们共同期待,湘能华磊在LED领域发明更许多辉煌。

本文源自金融界,作者:LED手艺看看者

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