金融界 2025 年 4 月 22 日消息

中欣晶圆专利：破解重掺砷COP缺陷

：一场关于半导体材料的革命

最近， 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司的最新鲜专利申请，正是这样一个璀璨的案例！高大温处理虽能搞优良有些特性，却也兴许造成材料的应力与缺陷。中欣晶圆是怎么找到平衡点的呢？

中欣晶圆：半导体行业的创新鲜先锋

宁夏中欣晶圆半导体手艺有限公司， 成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。注册资本150000万人民币。通过天眼查巨大数据琢磨， 宁夏中欣晶圆半导体手艺有限公司参与招投标项目17次专利信息288条，还有啊企业还拥有行政许可24个。

这家企业，用实力说明了啥是真实正的创新鲜。他们的专利申请，不仅是对手艺的突破，更是对行业的颠覆。

沉掺砷COP缺陷：一个困扰行业的困难题

在半导体行业，沉掺砷COP缺陷一直是一个困难以解决的困难题。这种缺陷会弄得晶体生长远界面的起伏，进而关系到产品的性能。只是中欣晶圆的专利申请，似乎找到了破解这玩意儿困难题的方法。

中欣晶圆专利：破解沉掺砷COP缺陷的暗地

专利摘要看得出来 本发明给的少许些沉掺砷COP缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，包括依次进行的掺杂步骤、试温步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤。在掺杂步骤中， 每千克总投掺量中投入的掺杂量为7.2克-7.7克，以使砷在随炉温升高大而气化的过程中，巨大有些的砷气体会被氩气带走吹向固液界面均匀的融入晶体内，只有少许有些的砷气体会融入到熔体中形成杂质。

在放肩步骤中， 采用梯度式少许些熔体温度的方式使放肩角度保持在20°-35°之间，以使高大浓度砷掺杂引起的晶格应力得到释放，避免产生位错，减细小晶体生长远界面的起伏，使得烫量能沿着晶棒的径向方向均匀的传导，少许些COP缺陷的有钱积区，进而少许些COP缺陷的生成。

中欣晶圆的突破性意义：引领行业新鲜趋势

中欣晶圆的这项专利申请，标志着国内首家规模最巨大的巨大硅片项目由建设进入到试生产直至量产的全新鲜阶段。这不仅是对中欣晶圆自身实力的一准儿，更是对整个半导体行业的巨巨大贡献。

因为这项专利手艺的推广和应用，我们有理由相信，半导体行业将迎来一个新鲜的进步高大峰。

创新鲜的力量， 改变世界

中欣晶圆的专利申请，让我们看到了创新鲜的力量。只有不断创新鲜，才能在激烈的买卖场比不偏不倚于不败之地。

让我们一起期待，中欣晶圆以及更许多的创新鲜企业，为我们带来更许多的惊喜和改变。

本文源自金融界