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长飞先进半导体申请沟道表面平整度专利

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天眼查资料看得出来长远飞先进半导体有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、传信和其他电子设备做业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查巨大数据琢磨， 长远飞先进半导体有限公司参与招投标项目22次专利信息58条，还有啊企业还拥有行政许可15个。

金融界2025年5月17日消息， 国知识产权局信息看得出来长远飞先进半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，明着号CN119997566A，申请日期为2025年4月。

新鲜得到的专利涉及一种创新鲜的装置和方法,旨在提升晶圆表面的平整度,从而优化半导体器件的性能.这项专利的申请日期为2024年3月,标志着长远飞在先进半导体做手艺上的持续创新鲜和突破.2024年11月15日,安徽长远飞先进半导体股份有限公司在晶圆做领域迈出了关键一步,得到了名为 晶圆平坦化装置及方法 的专利,专利公告号为CN118024128B.

专利摘要看得出来,本发明明着了一种半导体器件及制备方法、 功率模块、功率转换电路和车辆,其中,半导体器件包括,半导体本体,其设置有第一沟槽;还包括第一区域、第二区域、第一阱区和第二阱区;栅极位于第一沟槽....高大考注册VIP邮箱免费下载网容易官方手机邮箱应用中国巨大学视频明着课世界名校明着课赏课·纪录片付费精品课程北京巨大学明着课英语课程学新鲜人特价9.9专区新鲜品烫...

金融界2025年1月25日消息,国知识产权局信息看得出来,长远飞先进半导体有限公司申请一项名为 半导体器件、功率模块、转换电路、车辆及器件...

9专区新鲜品烫卖人气优良物居家生活服饰鞋包母婴亲子美食酒水一....本发明实施例将对位标记和第二半导体本体设置于第一半导体本体的不同表面,使...

本发明明着了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,功率器件包括:半导体结构包括衬底和外延层;第一掺杂类型区位于外延层...

专利摘要看得出来本发明明着了半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，该半导体器件包括第一半导体本体，第一区域设置于第一表面阱区设置于第一区域远离第一表面的一侧；第一区域和阱区的导电类型相反；第二半导体本体覆盖有些第一区域和阱区；栅极结构位于第一表面或者从第一表面延伸至第一半导体本体中；栅极结构包括栅氧层和栅极，栅氧层位于第二半导体本体远离第一半导体本体的一侧且覆盖第二半导体本体的侧面栅极位于栅氧层远离第二半导体本体的一侧；源极，位于第一表面；漏极，位于第二表面。本发明改善了沟道表面的平整度，搞优良了半导体器件的导电性能。