5000小时CCM烤验，致能蓝宝石衬底氮化镓技术

蓝宝石衬底氮化镓技术引领照明LED发展新方向

照明LED蓝宝石衬底的需求未来，将朝着更高效、更薄和更低成本的方向发展。通过优化晶体生长条件和缺陷控制技术，提高蓝宝石衬底的光学质量和晶体完整性，减少LED芯片的光损耗。

日本 Nichia 公司的 Nakamura 博士在蓝宝石衬底上引入缓冲层，外延生长出较高质量的氮化镓，在全球掀起了氮化镓基发光材料及器件的研究开发热潮。目前以蓝宝石为衬底的 GaN/Ga1N 蓝光、绿光 LED 已实现商品化。

生长蓝宝石的方法很多，达十余种，热交换法是生长大尺寸蓝宝石的方法之一。它可以独立控制晶体中温度梯度和熔体中温度梯度，有利于生长高质量、大尺寸的蓝宝石晶体。生长周期较长，成本高，而数值模拟技术可以减少实验次数，提高效率，节约成本。

一连串里程碑之后，我们有了从源头上完全自主可控的技术，整个行业的专利风险就减轻了，如果国外巨头还要上门来找蓝宝石路线的茬，一是要面临相应的技术挑战。

以上图形显示，在蓝宝石技术领域中，主要的研究方向集中在蓝宝石材料的不同形态及其制备方法。从材料形态来看，研究方向包括蓝宝石衬底、蓝宝石...

同花顺金融研究中心07月09日讯，有投资者向天通股份提问，公司近十年来先后进行两次增发用于蓝宝石晶体材料发展，请问公司目前蓝宝石的行业地位...

聚灿光电公告，公司通用技术主要为 LED 外延片结构、芯片制备等环节的基础性技术，其中外延片生产过程中，在蓝宝石衬底上利用金属化学气相沉积技术生产 GaN 材料的工艺已成熟并固化，属于包括公司在内的绝大多数 LED 厂商在生产过程中都会用到的通用技术。

氮化镓功率器件已在手机快充充电器领域实现量产应用，未来前景广阔。

充电头网了解到，致能在第三代半导体氮化镓功率器件领域取得重大突破，其采用蓝宝石衬底技术的氮化镓功率器件成功完成高温 CCM 5000 小时的严苛测试，标志致能半导体在该领域达到了新的高度，为行业发展注入了强大动力。

致能高可靠低成本的氮化镓被国内头部的手机终端厂家、工业电源、微逆电源、音箱，车载等客户广泛使用及量产。同时晶圆也与国内头部 IC 厂家进行合封批量出货，650V/900V/1200V 晶圆得到了客户广泛认可。

从材料特性看，使用蓝宝石衬底和硅衬底生长氮化镓外延时，蓝宝石衬底具备明显更好的热适配性，更小的晶格位错。这就意味着蓝宝石衬底外延点缺陷及线缺陷密度理论上会优于硅衬底外延，氮化镓器件材料质量将远高于硅衬底器件。

致能在蓝宝石衬底氮化镓功率器件领域成果斐然。从材料特性到器件设计方面均具性能以及成本优势，轻松完成恶劣高温环境下 CCM 模式 5000 小时测试，充分验证其产品可靠性，满足各类追求高可靠性需求场景需求，在第三代功率半导体市场更具竞争力，有力推动行业发展。

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