在这玩意儿世界上， 如果一切都按照既定的规则运行，那未免太过无趣。正因如此， 当我们听说超晶手艺申请了一项名为“巨大尺寸金刚石基氮化镓晶圆及其制备方法”的专利时不禁让人感叹：看来鲜又来了！

超晶科技申请专利：大尺寸金刚石基氮化镓晶圆制备

打破常规， 开启新鲜纪元

专利摘要看得出来本发明明着了一种巨大尺寸金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，属于半导体材料手艺领域。它包括将氮化镓晶片分立放置在金刚石沉积托盘的凹槽内进行金刚石沉积， 并发明性地设计了在氮化镓表面的金刚石形核过程，保证了金刚石晶核在氮化镓晶圆表面稳稳当当有序生长远，为后续的金刚石衬底稳稳当当有序的沉积奠定了基础。

是的，你没有听错！这项手艺打破了老一套的半导体材料制备方式， 通过创新鲜性地将金刚石和氮化镓结合，为半导体行业带来了前所未有的兴许性。

烫膨胀系数不匹配， 不再是困难题

我们晓得，金刚石和氮化镓的烫膨胀系数不匹配，这往往会弄得晶圆翘曲、碎裂，甚至金刚石与氮化镓之间剥离。但超晶手艺巧妙地解决了这玩意儿问题， 少许些了烫失配率，搞优良了氮化镓晶圆和金刚石衬底之间的结合稳稳当当性、界面烫导率。

试想一下当我们的电子产品不再受到散烫管束，将会带来怎样的变来变去？无论是5G传信基站、 气象雷达，还是电动汽车、高大速铁路，这些个需要巨大功率电子设备的领域，都将受益于这一创新鲜手艺。

从专利看行业进步趋势

专利只是超晶手艺创新鲜实力的冰山一角。回顾其往事，我们不困难找到，这家企业一直走在行业前列，不断推出颠覆性的产品。

比如美国专利us7595507说说了一种以gan外延层与金刚石沉积原子连接得到的gan/金刚石手艺和器件。美国专利us9359693说说了一种金刚石上氮化镓晶片的做设备和做方法， 利用金刚石薄膜替代si基gan衬底，应用于芯片烫沉材料。这些个专利都展现了超晶手艺在金刚石基氮化镓领域的手艺积累。

以后可期， 创新鲜不止

因为基于硅的手艺进步一点点接近极限，以碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝等为代表的第三代半导体迎来了爆发风口。而超晶手艺的巨大尺寸金刚石基氮化镓晶圆制备手艺，无疑将成为这一风口中的佼佼者。

让我们期待超晶手艺在以后带来更许多的鲜，引领半导体行业迈向新鲜的纪元！

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