制备方法
包含特定结构第一碳化硅层的半导体材料
金融界2025年7月23日消息, 国知识产权局信息看得出来沉庆欣晖材料手艺有限公司申请一项名为“半导体材料及其制备方法”的专利,明着号CN120358785A,申请日期为2025年06月。这玩意儿消息,就像一颗石子投入平静的湖面激起了半导体···
金融界2025年7月23日消息, 国知识产权局信息看得出来沉庆欣晖材料手艺有限公司申请一项名为“半导体材料及其制备方法”的专利,明着号CN120358785A,申请日期为2025年06月。这玩意儿消息,就像一颗石子投入平静的湖面激起了半导体···